ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,142
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAEC02_041
تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدی به منظور بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانونوار گرافین ارائه شده است در ساختار پیشنهادی از یک ناحیه با آلایش کم در سمت درین استفاده شده است. به همین منظور ساختار پیشنهادی را ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با آلایش کم در سمت درین نامگذاری نمودیم. ساختار پیشنهادی از لحاظ رفتار کلید زنی از عملکرد بسیار بهتری نسبت به ساختار معمول برخوردار می باشد همچنین جریان Ambipolar که از مشکلات ساختارهای تونلی متداول می باشد بسیار کاهش یافته است.
کلیدواژه ها:
تابع غیر تعادلی گرین ، ترانزیستور اثر میدانی تونلی (TFET) ، تونل زنی باند به باند (BTBT) ، نانونوار گرافین (GNR) ، ا Ambipolarity
نویسندگان
فاطمه گیل زرودی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سید صالح قریشی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :