ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,142

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NAEC02_041

تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار جدیدی به منظور بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانونوار گرافین ارائه شده است در ساختار پیشنهادی از یک ناحیه با آلایش کم در سمت درین استفاده شده است. به همین منظور ساختار پیشنهادی را ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با آلایش کم در سمت درین نامگذاری نمودیم. ساختار پیشنهادی از لحاظ رفتار کلید زنی از عملکرد بسیار بهتری نسبت به ساختار معمول برخوردار می باشد همچنین جریان Ambipolar که از مشکلات ساختارهای تونلی متداول می باشد بسیار کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

تابع غیر تعادلی گرین ، ترانزیستور اثر میدانی تونلی (TFET) ، تونل زنی باند به باند (BTBT) ، نانونوار گرافین (GNR) ، ا Ambipolarity

نویسندگان

فاطمه گیل زرودی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

رضا یوسفی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

سید صالح قریشی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ [2] _ _ _ _ 2006. ...
  • X. Li and X. Wang and L. Zhang and S.Lee ...
  • _ _ _ vol.32, pp. 6-8, 2011. ...
  • T. Fang and A. Konar and H. Xing and D. ...
  • YM. Lin and DB. Farmer and G S.Tulevski and S. ...
  • G. Liang and N.Neophytou and MS. Lundstrom and DE. Nikonov. ...
  • _ _ "Performance Comparison of Graphene Nanoribbon FETs With ...
  • _ _ _ "IEEE Trans. Electron ...
  • MH. Ghadiry and M .Nadi and MI Ahmadi and AA. ...
  • _ M .Bahadorian and A Manaf and H .Karimi and ...
  • _ _ _ _ Graphene Nanoribbon FETs: A Three Dimensional ...
  • Devices" IEEE Trans. Na notechnology, vol. 10, pp.931-939, 2010. ...
  • MR .Moslemi and MH. Sheikhi and _ .Saghafi and MK. ...
  • SK. Chin and D. Seah and KT. Lam and GS ...
  • KT. Lam and Y. Yang and GS. Samudra and YC. ...
  • P. Zhao and , Chauhan and , Guo, : Computational ...
  • SB. Kumar and , Seol and J .Guo , "Modeling ...
  • _ _ _ tunneling in a carbon heterojunction transistor" J ...
  • R .Yousefi and K .Saghafi and MK , Moravvej -Farshi, ...
  • R .Yousefi and SS. Ghoreyshi, "Numerical Study of Ohmic- Schottky ...
  • N .Moghadam and MK. Moravvej -Farshi and M R .Aziziyan, ...
  • _ _ of Nanoscale ...
  • S .Datta , "Quantum Transport: Atom to Transistor". Cambridge University ...
  • GC. Liang and N. Neophytos and M. Lundstrom and D.Nikono, ...
  • P .Zhao and J .Guo, "Modeling edge effects in graphene ...
  • MPL.Sancho and JML. Sancho and J.Rubio, "Highly convergent schemes for ...
  • _ .Liu and J. Mohata and , Datta, "Scaling Length ...
  • J. Guo and A. Javey and H. Dai and M. ...
  • نمایش کامل مراجع