ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,940
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAEC02_039
تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393
چکیده مقاله:
در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی از مکانیسم تونل زنی از داخل سد پتانسیل برای حامل ها استفاده می شود و با بکارگیری تونل زنی باند به باند (BTBT) در این ترانزیستور می توان بر محدودیت هایی که با کاهش اندازه در ماسفت اتفاق می افتد غلبه کرد ترانزیستور TFET دارای جریان خاموشی بسیار کم و همچنین شیب زیر آستانه کمتر از 60mv/decade و نسبت جریان روشن به خاموش بالایی است. در این مقاله طراحی جدیدی از ترانزیستور اثر میدان تونلی TFET مبتنی بر ساختار ناهمگون In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As ارائه شده است که هدف بهبود شیب زیر آستانه کمتر از 60mv/decade و افزایش نسبت جریان روشن به خاموش ION/IOFF است ترانزیستور ارائه شده با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده و شیب زیر آستانه 10mv/decade و نسبت جریان روشن به خاموش 16^10 × 0/25 بدست آمده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه پیروی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی بجنورد
سید ابراهیم حسینی
دانشیار گروه برق دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :