بررسی و شبیه سازی اثر خازنی گیت بر منحنی مشخصه ترانزیستور تک الکترونی تک جزیره ای با کمک معادلات اساسی و نرم افزار متلب
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 801
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAEC02_030
تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا ساختار پایه ترانزیستورهای تک الکترونی تک جزیره ای معرفی می شود و مکانیزم عملکرد آنها و مشکلات مرتبط با تکنولوژی ساخت و لوم بکارگیری آنها را بیان می کنیم با استفاده معادلات اساسی حاکم بر انها و نرم افزار متلب با تغییر در پارامتر خازنی گیت منحنی های مشخصه افزاره را رسم و در مورد آنها بحث خواهیم کرد بررسی افزاره به این روش کمک شایانی به درک بهتر عملکرد و مشخصه های مطلوب آنها برای پژوهشگران و دانشجویان گرایش ادوات نیمه هادی خواهد داشت و به عنوان پیش زمینه ای برای ورد به دنیای تک الکترونیک ها محسوب خواهد شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید کیوان بابایی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سید صالح قریشی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :