بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 976
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAEC02_011
تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی با پیوند شاتکی پرداخته شده است و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش این ترانزیستورها نسبت به تغییرات ضخامت عایق گیت و همچنین تغییرات نوع عایق گیت (ضرایب دی الکتریک متفاوت) بررسی و شبیه سازی شده است در شبیه سازی ها از یک نانولوله کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین و بردار کایرال (13.0) استفاده شده است. در انتها با استفاده نمودارها مشاهده خواهد شد که کاهش ضخامت عایق گیت سبب افزایش نسبت جریان روشن به خاموش خواهد شد همچنین استفاده از مواد با ضرایب دی الکتریک بالا نسبت نسبت جریان روشن به خاموش را افزایش داد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین قاسمی نژاد رائینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان
مهران ابدالی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :