طراحی یک مقایسه گر فلش با قابلیت پیکربندی مجدد مبتنی بر بکارگیری نانوممریستور
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 824
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCECN01_158
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله یک نمونه از کاربردهای ممریستور در مدارات آنالوگ مورد بررسی قرار گرفته است. همانطور که می دانیم اولین طبقه از مبدل های A/D، ورودی ولتاژ مرجع و مقایسه گر می باشد.در این طراحی در بلوک تولید کننده ی ولتاژ مرجع جهت بکارگیری در ورودی مقایسه گر، به جای نردبان مقاومتی از نردبان ممریستوری استفاده شده است. بررسی نتایج شبیه سازی که با استفاده از نرم افزار Hspiceو تکنولوژی CMOS 180nm بدست آمده نشان می دهد که توان مصرفی در شرایط یکسان به هنگام استفاده از نردبان ممریستوری در مقایسه با نردبان مقاومتی به میزانmW۵/٢٨کاهش داشته است. همچنین با در نظرگرفتن قابلیت برنامه پذیری ممریستور می توان بدون تغییر دادن ترکیب مدار و فقط با برنامه ریزی مجدد ممریستور توان مصرفی را کاهش داد. علاوه بر این با حذف شدن مقاومت ها از لی اوت مدار که جای زیادی را به خودش اختصاص می دهد و استفاده از نانوممریستور که به صورت کراس بار به مدار CMOS زیرین اتصال پیدا می کند، فضای اشغال شده توسط IC تا حدود زیادی کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ابراهیم چگینی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه صنعتی مالک اشتر
شاهین طایی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
احمد عفیفی
مدیر گروه الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :