بررسی عددی اثر تغییر قطر کانال بر مشخصه نویز فلیکر در ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی

به کمک شبیهسازیهای رایانهای تاثیر تغییر قطر کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی بر مشخصه نویز فلیکر این افزاره را بررسی نمودیم. ما در ابتدا به مطالعه مبانی نویز فلیکر و سپس بدست آوردن شیوه محاسبه چگالیطیف توان نویز مذکور درترانزیستورهای نانوسیم نیمههادی پرداخته و در ادامه با استفاده از یک نرمافزار شبیهساز کوانتومی قدرتمند که محاسبات در آن بر اساسروش تابع گرین غیر تعادلی صورت میپذیرد، منحنیهای جریان- ولتاژ ترانزیستور نانوسیم نیمههادی سیلیکونی گیت فراگیر با تغییر قطر کانال، را بدست آوردیم. سپس بهکمک نرمافزار متلب منحنیهای مربوط به چگالی طیف توان نویز فلیکر را بدست آورده و مورد مقایسه و تحلیل قرار دادیم. نتایج حاصل نشان دادند که با ثابت نگاهداشتن سایر مشخصههای افزاره و کاهش قطر کانال نانوسیم سیلیکونی، میزان چگالی طیف توان نویز فلیکر کاهش می یابد که این امر ناشی از کاهش جریان درین در خلال کاهش قطر کانال می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی ، گیت فراگیر ، چگالی طیف توان نویز ، نویز فلیکر ، تابع گرین غیرتعادلی