بررسی خواص ساختاری و اپتیکی سیلیسن (Silicene) با استفاده از اصول اولیه

هدف این مقاله مطالعه خصوصیات ساختاری و اپتیکی سیلیسن دو بعدی در حد ضخامت نانومتر لایه نشانی شده روی Ag که به صورت شبکه لانه زنبوری و دارای خمیدگی کمی است با استفاده از نطریه تابع چگالی و محاسبات siesta می باشد . نتایج ما روی خصوصیات اپتیکی نشان می دهد که محاسبات به شدت به جهت پولاریزاسیون نور بستگی دارد. طیف جذب اپتیکی سیلیس دارای دو پیک مهم است: i: یک پیک تیز در 1.77ev که ناشی از گذار حالت های p به *p می باشد. ii: یک پیک پهن در بازه 10-4 ev که ناشی از گذار حالت های s به نوارهای هدایت است. و نیز بر روی اثر میدان الکتریکی استاتیکی اعمالی روی ساختار الکترونیکی سیلیسن بحث خواهیم کرد که این منجر به باز شدن شکاف نواری در سیلیسن می گردد و نوار ظرفیت و هدایت به طور متقارن از سطح فرمی دور می شوند و نیمه فلز سیلیسن خاصیت نیمه رسانایی پیدا می کند که در ساخت ترانزیستورهای اثر میدان (Field Effect Transistors) کاربرد دارد.

کلیدواژه ها:

نظریه تابع چگالی ، سیلیسن ، خواص الکترونیکی ، خواص اپتیکی