لایه نشانی و بررسی تاثیر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی بر بازدهی سلولهای خورشیدی سیلیکونی

در این تحقیق لایه نازک کربن شبه الماسی با استفاده از دو گاز هیدروژن و متان به عنوان پوششی ضدبازتاب بر زیرلایه های سلول خورشیدی سیلیکونی پلی کریستال به روش رسوب شیمیایی بخار تقویت شده به کمک پلاسما با منبع تغذیه فرکانس رادیویی (RF-PECVD) با ضخامت های بهینه 80 و 240 نانومتر اعمال گردید. ضریب شکست پوشش به همراه خواص اپتیکی آن یعنی شفافیت و بازدهی سلول های خورشیدی بترتیب به وسیله تکنیک های بیضی سنجی، طیف سنجی و شبیه ساز خورشیدی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد پس از اعمال لایه نازک کربن شبه الماسی با ضخامت های بهینه 80 و 240 نانومتر، بازدهی سلول های خورشیدی سیلیکونی به ترتیب تقریبا به میزان 39 و 9 درصد مقدار اولیه افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

لایه نازک ، کربن شبه الماسی ، سلول خورشیدی ، بازدهی ، PECVD