شبیه سازی عددی انتقال حرارت اجباری فرو فلوئید در جریان آرام روی یک صفحه تخت،تحت میدان مغناطیسی

کار حاضر از جمله کارهای پژوهشی است که با تلفیق دو روش، استفاده از نانوذرات در سیال پایه با درصد های حجمی مختلف و همچنین اعمال میدان مغناطیسی بر روی آن، راندمان انتقال حرارت جابجایی را بررسی نمودهاست. در این پژوهش برای دستیابی به خواص مطلوب نانوسیال ابتدا به بررسی نانوسیال پارامغناطیس با درصد های حجمی مختلف پرداخته و همچنین میدان مغناطیسی کنترل شده ای را بر روی آن اعمال کرده که نتایج آن بهطور کامل در جزئیات آمده است. هدف از این مطالعه بررسی انتقال حرارت اجباری نانو سیال در جریان آرام روی یک صفحه تخت، تحت یک میدان مغناطیسی است. کارآیی پایین محیط های انتقال حرارت یکی از مشکلات جدیدر صنعت است که امروزه کارهای تحقیقاتی و مطالعات فراوانی برای افزایش راندمان حرارتی تجهیزات در حال انجام است. یکی از جدیدترین این مطالعات، تحقیق همزمان در مورد نانوسیال و اعمال میدان مغناطیسی است که در کار حاضر به آن پرداخته شده است. نتایج این پژوهش نشان داد در غیاب یک میدان مغناطیسی، استفاده ازفروفلوئیدها خصوصا در فواصل کوتاه از منطقه ورودی و استفاده از غلظت های حجمی بالاتر منجر به افزایش انتقال حرارت جابجایی می شود، همچنین اعمال یک میدان مغناطیسی سبب بهبود این افزایش گردید

کلیدواژه ها:

فروفلوئید ، نانو ذرات ، انتقال حرارت اجباری ، میدان مغناطیسی