Design of High Performance CNFET-Based Full Adder Cell
محل انتشار: دومین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 885
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNTA02_147
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
This paper presents high performance 1-bit Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) based full adder cell.The proposed design has the advantage of full voltage swing of output nodes, high driving power, and capability of working in high frequencies for low voltages application, The proposed full adder cell is composed of 6-transistor XOR-XNOR module supporting complementary outputs and multiplexing. To design our full-adder cell, CNFETs with different threshold voltages and number of nano tubes are used.Proposed full adder is simulated using HSPICE based on CNFET model with 0.9V,0.8V and 0.7V supply voltages. Simulation result shows that the proposed design consumes less power and has a lower power-delay product compared to other CNFET-based full adder cells.
کلیدواژه ها:
Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) ، Full Adder ، exclusive-OR (XOR) ، exclusive-NOR (XNOR) ، low power
نویسندگان
Zoheir Kordrostami
Dept. of Elect. Eng., Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran
Maryam Esfandiyar
Dept. of Elect. Eng., Bushehr Islamic Azad University, Bushehr, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :