تعیین آستانه نفوذ الکتریکی و رفتار ثابت دی الکتریک در ترکیب نانو لوله های کربنی سنتز شده به روش CVD با جامد عایق پتاسیم برمید
محل انتشار: دومین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,502
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNTA02_082
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
نانو لوله های کربنی با روش نشست بخار شیمیایی (CVD) با استفاده ازمحلول نمکی Ni(NO3).6H2O به عنوان کاتالیست سنتز شدند. پس از خالص سازی با درصدهای وزنی مختلف (0.5 -5 %wt) با پودر عایق پتاسیم برمید (KBr) مخلوط شده و به صورت قرص در آمدند. با اندازه گیری مقاومت الکتریکی قرص ها رسانندگی ویژه آنها بدست آمد و مشخص شد که با افزایش درصد وزنی نانو لوله رسانندگی ویژه قرص ها افزایش می یابد . کمترین غلظت نانو لوله کربنی که در آ ن برمید پتاسیم رسانا می شود ( آستانه نفوذ الکتریکی) حدود 0/8 درصد وزنی و توان بحرانی حدود 1/86 بدست آمد.سپس خواص دی الکتریکی قرص ها و رسانندگی ac آنها را در محدوده فرکانس Hz 10 تا 200kHz و در دمای اتاق اندازه گیری کردیم و مشاهده کردیم که ثابت دی الکتریک ترکیب با افزایش نانو لوله کربنی تا آلایش 1/5 درصد وزنی در ترکیب افزایش می یابد و پس از آن کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم واشقانی فراهانی
آزمایشگاه پژوهشی مغناطیس و ابررسانا, گروه فیزیک, دانشگاه الزهرا(س)، تهران
صدیقه دادرس
آزمایشگاه پژوهشی مغناطیس و ابررسانا, گروه فیزیک, دانشگاه الزهرا(س)، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :