بررسی خواص اپتیکی لایه نازک اکسید روی آلاییده با گالیم جهت استفاده در سلولهای خورشیدی آلی
محل انتشار: چهارمین کنفرانس سالانه انرژی پاک
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 766
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CLEANENERGY04_065
تاریخ نمایه سازی: 6 شهریور 1393
چکیده مقاله:
لایههای نازکZnOآلاییده با گالیم Ga می توانند به عنوان الکترود در سلولهای خورشیدی آلی استفاده مورد استفاده قرار گیرنددر این تحقیق، لایههای نازکZnOآلاییده با گالیمGa)به روشسل ژل و پوششدهی غوطهوری تهیه شدند. گالیم با نسبتها ی0- 2% اضافه شد. مشاهده شد که لایه نازک آلاییده با % 2 گالیم بهترین عبور اپتیکی را دارا بوده است. در ادامه تأثیر عواملی همچون دمای بازپخت نهایی و ضخامت لایه نازک بر عبور اپتیکی و پهنای گاف نواری نمونه % 2 مورد بررسی قرار گرفت
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید سالاری
دانشجوی دکتری فیزیک، دانشگاه گیلان
مهدی احمدی
استادیار، گروه فیزیک دانشگاه ولی عصر(عج) رفسنجان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :