طراحی تقویت کننده توان پهن باند، باند L مبتنی بر شبکه تطبیق امپدانس پله ای با استفاده از ترانزیستور تطبیق نشده با رویکرد بیشینه توان در پهنای باند وسیع
محل انتشار: فصلنامه دریا فنون، دوره: 13، شماره: 1
سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 4
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJMT-13-1_004
تاریخ نمایه سازی: 15 آبان 1405
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده توان با بهره گیری از شبکه تطبیق امپدانس ورودی و خروجی با هدف بیشینه توان در پهنای باند وسیع طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این تقویت کننده مجموعه ای از خطوط انتقال مایکرواستریپ با امپدانس مشخصه متفاوت (تطبیق امپدانس پله ای) و همچنین تکنیک جبران راکتانس دوگانه جهت دستیابی به پهنای باند وسیع استفاده شده است. ترانزیستور تطبیق نشده ارزان قیمت با تکنولوژی ساخت GaN با شماره قطعه CGH۴۰۰۱۰ به عنوان عنصر اکتیو مدار پیشنهادی مورد استفاده قرار گرفته است. چالش اصلی در بهره گیری از این ترانزیستور دست یابی به بیشینه توان در پهنای باند وسیع است که با طراحی شبکه تطبیق امپدانس چند طبقه ممکن شده است، امپدانس بهینه ی ورودی و خروجی ترانزیستور با شرط ماکزیمم توان در نرم افزار ADS برای طراحی شبکه های تطبیق استخراج شده است.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده توان ، شبکه تطبیق امپدانس ورودی و خروجی ، خطوط انتقال مایکرواستریپ ، تکنواوژی ساخت GaN ، تکنیک جبران راکتانس ، نرم افزار ADS
نویسندگان
احمد عفیفی
هیئت علمی دانشگاه صنعتی مالک اشتر
رضا مهرپویا
دانشجوی دکتری
سیدحسین محسنی ارمکی
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :