بررسی تاثیر عرض نوار نانومتری با پیچش گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی
سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 15
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITNAF01_1288
تاریخ نمایه سازی: 14 آبان 1405
چکیده مقاله:
ترانزیستور تک الکترونی یک قطعه الکترونیکی در ابعاد نانومتر است. این ترانزیستور دارای سرعت عملکرد بالا است. ساختار این ترانزیستور از سه الکترود بصورت الکترود سورس، الکترود گیت و الکترود درین تشکیل شده است. یک جزیره در بین این سه الکترود قرار دارد یک الکترون از الکترود سورس به جزیره با عبور از اتصالات تونلی انتقال می یابد. سپس این الکترون به الکترود درین تونل می زند بنابراین جریان در ترانزیستور تک الکترونی با تونل زنی یک الکترون شارش می کند. مواد پایه گرافنی موبیلیتی الکترون بالایی دارند و می توانند برای جزیره ترانزیستور تک الکترونی استفاده شوند. در این تحقیق جزیره ترانزیستور تک الکترونی از نوار نانومتری با پیچش گرافنی انتخاب شده است. تاثیر عرض نوار نانومتری با پیچش گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی بررسی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
وحیده خادم حسینی قاسمی
استاد گروه برق دانشگاه جامع علمی کاربردی، کاشان مرکز،۱۷