طراحی نوع جدیدی از IGBT با بستر فوق نازک برای کاهش تلفات توان اثرات دما در کاربردهای فرکانس بالا و کاهش

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده و با نام اختصاری IGBT ترانزیستور نیمه هادی قدرت است که به طور گسترده در برنامه های سوئیچینگ با سرعت بالا استفاده می شود. به دلیل قدیمی شدن و گرم شدن، داخلی دستگاه مستعد مکانیزم خرابی است که به نام قفل شناخته می شود که در آن تغییرات در ولتاژ آستانه و ولتاژ حالت روشن دستگاه ممکن است در نهایت منجر به از دست دادن کنترل سوئیچینگ شود. در این مقاله یک طراحی جدید از ترانزیستور IGBT با بستر فوق نازک ارائه شده است که تلاش می کند ویژگی های استاتیکی نزدیک به ولتاژ DC آستانه ارائه دهد. طراحی بستر بسیار نازک برای IGBT از یک دروازه ترنچ IGBT با تغییرات جزئی مانند نفوذ الکترود امیتر به منطقه کانال برای مقاومت بهتر و کاهش قابل توجه احتمال قفل شدن است. این طراحی بر اساس یک ساختار توسعه یافته و بهینه شده است تا ویژگی های اندازه گیری شده را در محدوده ولتاژ نزدیک به آستانه جا دهد و از طرفی دیگر در توان و فرکانس های بالا کنترل سوئیچینگ را حفظ کند. نتایج آن در VG۱۰ و VG۵ به ترتیب با ۰.۰۰۰۵ و کمتر از ۰.۰۰۰۱ آمپر به دست آمده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور دو قطبی عایق شده ، IGBT ، بستر لایه نازک ، تلفات توان