بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر جریان و انتقال حرارت برای نانوسیال تکفاز دوفاز بر استوانه هم مرکز

در این پژوهش جریان سیال و انتقال حرارت برای نانوسیال محبوس در فضای بین دو استوانه هم مرکز در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است. هدف مطالعه تاثیر میدان مغناطیسی بر رفتار جریان و توزیع دما برای نانوسیال در دو حالت مدل سازی تک فاز و دوفاز است. میدان مغناطیسی اعمال شده از طریق عدد بی بعد هارتمن در تحلیل وارد شده و نتایج برای دامنه ای از مقادیر این عدد و نیز کسر حجمی نانو ذرات ارائه شده اند. بررسی ها نشان می دهد که افزایش عدد هارتمن موجب کاهش سرعت جریان در ناحیه بین دو استوانه و کاهش میزان انتقال حرارت می شود. همچنین نتایج حاکی از آن است که رفتار نانوسیال در مدل های تک فاز و دوفاز در پاسخ به تغییرات میدان مغناطیسی تفاوت هایی در الگوی جریان و توزیع دما ایجاد می کند.

کلیدواژه ها:

نانوسیال ، میدان مغناطیسی ، عدد هارتمن ، جریان سیال ، انتقال حرارت ، استوانه هم مرکز