طراحی یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ با نویز فاز بسیار پایین و بازه وسیع فرکانسی با تکنولوژی نانولوله کربنی برای کاربردهای PLL

سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 20

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ITNAF01_0159

تاریخ نمایه سازی: 14 آبان 1405

چکیده مقاله:

در این مقاله یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (VCO) با بازه فرکانسی گسترده پیشنهاد شده است که مبتنی بر ساختار یک اسیلاتور حلقوی تک سر سه مرحله ای با استفاده از فناوری ترانزیستور نانولوله کربنی (CNTFET) طراحی شده است. فناوری CNTFET به دلیل ویژگی های برجسته ای نظیر سرعت بالای حامل ها، نویزپذیری بسیار کم، ابعاد کوچک و انتقال بالستیک در مقایسه با MOSFET، امکان دستیابی به فرکانس های نوسان بالاتر را فراهم می کند. با بهره گیری از دو تکنیک بایاس مستقیم بدنه و سلف فعال در این اسیلاتور بازه فرکانسی گسترده ای همراه با نویز فاز بسیار پایین حاصل شده است. در این پژوهش مدل استنفورد CNTFET در محیط Verilog-A پیاده سازی شده و اسیلاتور حلقوی مبتنی بر نانولوله کربنی با استفاده از فرآیند طراحی در نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده بازه فرکانسی ۵۰ تا ۵۰۰ گیگاهرتز و نویز فاز - dBc/Hz در افست فرکانسی ۱ مگاهرتز است که این ویژگی ها اسیلاتور پیشنهادی را برای کاربردهای حلقه قفل فاز (PLL) بسیار مناسب می سازد.

کلیدواژه ها:

اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ ، نانولوله کربنی ، بازه فرکانسی گسترده ، نویز فاز پایین

نویسندگان

حامد سربازی

گروه مهندسی برق واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر ایران

مختار اعرابی

گروه مهندسی برق واحد تهران مرکزی، دانشگاه آزاد اسلامی تهران ایران