نانو لوله کربنی به عنوان یک کانال ترانزیستور CMOS؟

نانو لوله های کربنی بدلیل خواص مکانیکی جالب، مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. تا جایی که به کاربرد آنها به عنوان کانال در ترانزیستور های (Complementery Metal – Oxide – Semiconductor) CMOS نیز اشارات زیادی شده است. همانطوری که اخیرا نشان دادیم مواد جایگزین اکسید فوق نازک سیلیکون (<1nn)، موادی با ثابت دی الکتریک بالا می باشند، ولی این مواد بر تحرک پذیری حامل های عبوری از کانال تاثیر منفی می گذارند. از جمله مواردی که ممکن است مانع از بکارگیری نانو لوله های کربنی به عنوان کانال CMOS شود، تغییر ساختارش است لذا در اولین قدم به بررسی تغییر شکل شعاعی نانو لوله های کربنی با روش تحلیلی مکانیک مولکولی (Analytical Molecular Srtucture Mechanics) پرداختیم و در نتیجه توانستیم مدول یانگ و نسبت پوآسون نانو لوله های کربنی را بدست آوریم. بررسی های به عمل آمده نشان می دهند که نانو لوله کربنی آرمچیر می تواند بدلیل استحکام بالاتر، کاندیدای مناسبی به عنوان کانال در ترانزیستور CMOS باشند.

کلیدواژه ها:

گیت ، کانال ترانزیستور CMOS ، مکانیک مولکولی ، خواص مکانیکی