مشخصه یابی سطحی و چسبندگی پوشش اکتا کلسیم فسفات بر آلیاژ تیتانیم
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 12
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJSSE-21-64_005
تاریخ نمایه سازی: 12 مهر 1405
چکیده مقاله:
هدف از اجرای این پژوهش، سنتز اکتاکلسیم فسفات (OCP) به روش سنتز شیمیایی بعلت سهولت فرایند و مزیت رقابتی بودن آن در مقایسه با سایر روشها و همچنین با هدف بررسی چسبندگی و مشخصه یابی سطحی پوشش های کربنات کلسیم و اکتا کلسیم فسفات بوده است. به این منظور و در مرحله اول، کربنات کلسیم در ولتاژهای مختلف ۲۰، ۴۰ و ۶۰ ولت و در مدت زمان کوتاه ۳۰ ثانیه، به روش الکتروفورتیک روی زیرلایه تیتانیمی پوشش داده شد. سپس توسط فرایند سنتز شیمیایی به اکتاکلسیم فسفات تبدیل گردید. فرایند سنتز طی دو بازه زمانی هفت روزه، با غوطه وری نمونه ها در دو محلول شیمیایی متفاوت، تکمیل شد. برای ارزیابی پوشش ها، آنالیز XRD جهت تعیین ساختار فازی، FESEM و FTIR برای بررسی ریخت شناسی سطح و ریزساختار، آزمون pull-off برای ارزیابی استحکام چسبندگی پوشش و زبری سنج مکانیکی برای اندازه گیری پروفیل سطح استفاده شدند. نتایج نشان دادند که پوشش OCP پس از پایان فرآیند سنتز، سطح زیرلایه تیتانیمی را کاملا پوشش داده است. همچنین مشخص شد که در اثر سنتز شیمیایی، شکل کروی کربنات کلسیم به شکل های ورقه ای و تیغه ای اکتاکلسیم فسفات تغییر یافته است و میزان زبری سطح پوشش نیز به مقدار متوسط حدود ۸ میکرومتر افزایش یافته است. از سوی دیگر، استحکام چسبندگی پوشش OCP به زیرلایه تیتانیمی نسبت به کربنات کلسیم، در حدود چهار برابر از مقدار ۱.۲ به ۴.۱ مگاپاسکال افزایش یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فریده طباطبایی
هیات علمی/موسسه آموزش عالی نقش جهان
شهرام علیرضایی
هیات علمی/ دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :