شبیه سازی DFT برای طراحی نانولوله های InN با پایداری بالا و شکاف نواری قابل کنترل

در این مطالعه، رفتار ساختاری و الکترونیکی نانولوله های تک جداره نیترید ایندیوم (InN) با استفاده از محاسبات نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. ساختارهای آرمچیر با قطرهای گوناگون بهینه سازی شده و پایداری آن ها از طریق محاسبه انرژی بستگی مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج نشان داد که افزایش قطر نانولوله ها منجر به افزایش پایداری و کاهش تنش لبه ای می شود. بررسی ساختار نواری نیز بیانگر ماهیت نیمه رسانایی با شکاف نواری غیرمستقیم در تمامی ساختارها بود. همچنین مشاهده شد که شکاف نواری با بزرگ تر شدن قطر قابل افزایش است، که این ویژگی امکان تنظیم خواص الکترونیکی را فراهم می سازد. یافته های این پژوهش می تواند در طراحی و توسعه ادوات نانوالکترونیکی و اپتوالکترونیکی نقش موثری ایفا کند.

کلیدواژه ها:

نانولوله های نیترید ایندیوم ، نظریه تابعی چگالی ، پایداری ساختاری