بکارگیری کدگذاری تطبیقی در کاهش اغتشاش خواندن حافظه اصلی مبتنی بر STT-MRAM

سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 32

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DMECONF11_128

تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1405

چکیده مقاله:

امروزه با پیشرفت فناوری حافظه های اصلی از نوع DRAM به دلیل محدودیتهای ذاتی ناشی از ذخیره سازی با چالش های اساسی روبرو هستند در نتیجه ی این محدودیتها حافظه های STT-MRAM، به عنوان جایگزین توجه زیادی به خود جلب کرده است اما استفاده از این فناوری به دلیل ماهیت تصادفی و مسیر خواندن و نوشتن مشترک با چالشهایی مواجه است از جمله مهمترین چالشهای حافظه های STT-MRAM احتمال اغتشاش در خواندن است. این مقاله با تمرکز بر حافظه اصلی ریز معماری نوینی جهت مقابله با احتمال اغتشاش خواندن در حافظه STT-MRAM ارائه می کند که ۰/۲۲ درصد احتمال اغتشاش خواندن را کاهش و سربارهای ناچیزی به سامانه تحمیل می کند

نویسندگان

نوشین مهدوی

گروه مهندسی برق واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مریم ابراهیمی

گروه مهندسی برق واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران