یک جمع کننده تقریبی با سرعت بالا مبتنی بر فناوری CMOS در فرآیند ۱۰ نانومتر
سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 55
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF11_033
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1405
چکیده مقاله:
در این مقاله یک جمع کننده تقریبی با سرعت بالا مبتنی بر فناوری CMOS در فرآیند ۱۰ نانومتر ارائه می شود. طراحی پیشنهادی بدون تغییر ولتاژ تغذیه (۱.۲ ولت) و بدون تغییر فناوری، ساخت با ساده سازی منطق محاسباتی و کاهش فعالیت سوئیچینگ، موفق به کاهش تاخیر و حاصل ضرب توان تاخیر (PDP) شده است. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده و نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی با ۱۶ ترانزیستور و در شرایط بار خازنی صفر تنها ۳.۸۵ میکرووات توان مصرفی و تاخیر ۳۰۱۹ نانوثانیه دارد که منجر به کمترین PDP می شود. مقایسه با جمع کننده های تقریبی موجود نشان دهنده برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و بازده انرژی است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
روح اله بارانی
گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس دانشگاه آزاد اسلامی بندر عباس ایران