یک جمع کننده تقریبی با سرعت بالا مبتنی بر فناوری CMOS در فرآیند ۱۰ نانومتر

سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 55

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DMECONF11_033

تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1405

چکیده مقاله:

در این مقاله یک جمع کننده تقریبی با سرعت بالا مبتنی بر فناوری CMOS در فرآیند ۱۰ نانومتر ارائه می شود. طراحی پیشنهادی بدون تغییر ولتاژ تغذیه (۱.۲ ولت) و بدون تغییر فناوری، ساخت با ساده سازی منطق محاسباتی و کاهش فعالیت سوئیچینگ، موفق به کاهش تاخیر و حاصل ضرب توان تاخیر (PDP) شده است. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده و نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی با ۱۶ ترانزیستور و در شرایط بار خازنی صفر تنها ۳.۸۵ میکرووات توان مصرفی و تاخیر ۳۰۱۹ نانوثانیه دارد که منجر به کمترین PDP می شود. مقایسه با جمع کننده های تقریبی موجود نشان دهنده برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و بازده انرژی است.

نویسندگان

روح اله بارانی

گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس دانشگاه آزاد اسلامی بندر عباس ایران