طراحی تقویت کننده عملیاتی CMOS با زمان استقرار کم در تکنولوژی 0.18um

امروزه کاربرد تقویت کننده های عملیاتی با زمان نشست کم در مدارهایی با سرعت انتقال داده بالا همانند مدارهای نمونه بردار و نگه دار، مالتی پلکسر و مبدل های آنالوگ به دیجیتال رو به افزایش است. زیرا در این مدارها زمان نشست عامل اصلی در تعیین حداکثر سرعت انتقال داده می شود که هرچه کمتر باشد، سرعت بالاتر خواهد بود. روش پیشنهادی در این مقاله برمبنای جبران سازی غیرمستقیم با تکنیک جداسازی طول کانال ترانزیستور می باشد که براساس آن خازن جبران ساز بین گره با امپدانس پایین و خروجی قرار می گیرد. برخلاف جبران سازی میلری (مستقیم)، این روش سبب حذف صفر سمت راست، افزایش پهنای باند و پایداری بیشتر آمپ امپ می شود. نتایج شبیه سازی در سطح مدار با استفاده از نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 0.18 میکرومتر موثر بودن روش پیشنهادی را نشان می دهد. زیرا با به کارگیری آن فرکانس بهره واحد آمپ امپ بیشتر شده و در نتیجه زمان نشست بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی ، آپ امپ ، زمان نشست ، جبران سازی میلری ، جبران سازی غیرمستقیم