طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,173

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

INCEE01_054

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک تقویت کننده پهن باند با نویز کم (LNA) برای کاربردهای باند X و (8 تا 12 گیگاهرتز) طراحی شده است. مدار پیشنهادی متشکل از چهار بخش ترانزیستوری است که با بهره گیری از روش تقویت کننده های موج رونده (TWA) طراحی گردیده است. همچنین از یک فیلتر برای حذف اثر تداخل فرکانسی باندهای مجاور استفاده شده است. مدار طراحی شده از تطبیق خوبی در کل باند X برخوردار بوده و منحنی بهره نیز در عین حال دارای تغییرات اندکی است. شبیه سازی ها در تکنولوژی 0.18 μm RF CMOS با نرم افزار ADS نشان می دهند که بهره در کل باند dB 10.2 ~9.8 و عدد نویز 1.9dB~1.35 است. همچنین توان مصرفی تحت ولتاژ تعذیه 1.8V برابر با 15.8mW است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده موج رونده (TWA) ، تقویت کننده گسترده (DA) ، تقویت کننده کم نویز (LNA) ، گیرنده ، خط انتقال مصنوعی

نویسندگان

نادر جوادی فر

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول، گروه برق و الکترونیک، علی آباد کتول، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • X-band Applications "Progress In Elec tromagnetics Research Symposium Proceedings, Suzhou, ...
  • Guidelines, " IEEE Tran. On Microwave Theory and Techniques, Vol. ...
  • _ Thomas T. Y. Wong, "Fundamentas of Distributed Amplification" Artech ...
  • . _ _ _ F _ ndamentals, Vol _ E83-A, ...
  • نمایش کامل مراجع