ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین

در این مقاله مشخصات ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانونوار گرافین مورد بررسی قرار خواهد گرفت و ساختار اصلاح شده ای به منظور کاهش جریان خاموشی معرفی می شود. در ساختار پیشنهادی به جای استفاده از یک ناحیه با چگالی بالا در سمت درین، از یک ناحیه با همان اندازه ولی کم چگال که چگالی آن به صورت خطی تا حالت ذاتی در سمت درین کاهش می یابد، استفاده شده است . لذا در سمت درین اتصال شاتکی و در سمت سورس اتصال از نوع اهمی است. مشخصات الکتریکی ساختار پیشنهادی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (negf) و در فضای مد شبیه سازی و نتایج آن با ساختار تونلی متعارف و با همان ابعاد مقایسه شده است. نتایج حاصل از این مقایسه ها نشان می دهد که جریان خاموشی، رفتار Am-bipolar، نسبت ION/IOFF و همچنین زمان تاخیر و توان مصرفی که بیان کننده رفتار کلیدزنی می باشند، بسیار بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی ، نانونوار گرافین ، فضای مد ، تابع گرین غیرتعادلی