اصلاح سطح غشاهای پلی سولفون با استفاده از گرافن اکساید مغناطیسی پیوند شده با دندریمر برای شیرین سازی آب

سال انتشار: 1405
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 42

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

OGPH10_124

تاریخ نمایه سازی: 18 مرداد 1405

چکیده مقاله:

در این پژوهش اصلاح سطح غشاهای پلی سولفون با استفاده از گرافن اکساید مغناطیسی پیوند شده با دندریمر برای شیرین سازی آب بطور آزمایشگاهی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که آب دوستی غشای آماده شده با افزایش حضور نانوذرات MGO-PAMAM-G۴.۰ بهبود می یابد که این به دلیل وجود گروه های عاملی آبدوست در سطح نانوذرات MGO-PAMAM-G۴.۰ است. در نتایج، غشای M۳ مقدار Ra بالاتری را بیان کرد (nm ۸۳/۲۴). افزایش تدریجی زبری سطح غشاها به دلیل افزایش مداوم درصد وزنی نانوذرات MGO-PAMAM-G۴.۰ بر روی پلیمر PSF است. شار آب عبوری مشاهده شده در غشاء M۰ در فشار ۶ بار (L/m۲.h ۲۵/۶۵) به آب دوستی کمتر آن نسبت به سایر غشاها نسبت داده می شود. بیشترین شار آب L/m۲.h ۳۳/۱۲۹ برای غشا M۳ (غلظت ۵/۰ درصد وزنی گرافن اکساید مغناطیسی متصل شده به دندریمر) تحت فشار ۸ بار به دست آمد. کمترین شار آب از طریق فرآیند غشایی در هر دو فشار ۶ و ۸ بار برای Na۲SO۴ با مقادیر L/m۲.hr ۷۵/۸۲ و L/m۲.hr ۱۳/۸۸ مشاهده شد که از غشا با افزودن ۵/۰ درصد وزنی PAMAM-G۴.۰ استفاده شد. از سوی دیگر، بیشترین شار آب L/m۲.hr ۲۵/۹۸ و L/m۲.hr ۰۷/۱۰۸ برای NaCl به ترتیب در فشارهای ۶ و ۸ بار، زمانی که غشای M۰ استفاده شد، به دست آمد.

نویسندگان

سلیمان شهریاری آتشگاه

گروه مهندسی شیمی، واحد گچساران، دانشگاه آزاد اسلامی، گچساران، ایران

سعید دلاوری

گروه مهندسی شیمی، واحد گچساران، دانشگاه آزاد اسلامی، گچساران، ایران