بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد

در این مقاله به الزام استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی پیوند ناهمپون با ساختار تحرک الکترونی بالا و بررسی و عملکرد آن جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا می پردازیم. ضروریات، مزایا و محاسبات این گونه از ترانزیستورها به طور کامل تشریح می شود. گونه های مختلف ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد pHEMT، mHEMT و Induced HEMT می باشد. مکانیزم کوانتومی الکترون در کانال و چاه پتانسیل مهمترین ویژگی را برای اینگونه از ترانزیستورها فراهم می کند. شبیه سازی نفوذ – رانشی عددی دوبعدی و مقایسه HEMT با یک ترانزیستور FET معمولی برای برجسته ساختن ویژگی های این ساختار، موردنظر است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور با تحرک الکترون بالا ، پیوند ناهمکون ، چاه کوانتومی ، گاز الکترونی دوبعدی