بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,550
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_355
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله به الزام استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی پیوند ناهمپون با ساختار تحرک الکترونی بالا و بررسی و عملکرد آن جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا می پردازیم. ضروریات، مزایا و محاسبات این گونه از ترانزیستورها به طور کامل تشریح می شود. گونه های مختلف ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد pHEMT، mHEMT و Induced HEMT می باشد. مکانیزم کوانتومی الکترون در کانال و چاه پتانسیل مهمترین ویژگی را برای اینگونه از ترانزیستورها فراهم می کند. شبیه سازی نفوذ – رانشی عددی دوبعدی و مقایسه HEMT با یک ترانزیستور FET معمولی برای برجسته ساختن ویژگی های این ساختار، موردنظر است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرشید کارگشا
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد بوشهر
زهیر کردرستمی
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه شیراز
مسعود برهمن
دانشجوی دکتری برق - الکترونیک دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :