بررسی نقص در فیلم بس لایه ای مغناطیسی دو و سه بعدی

در این مقاله، خواص مغناطواپتیکی بلورهای فوتونیک مغناطیسی به همراه نقص در ساختار با ماده مغناطیسی و بدون ماده مغناطیسی معرفی می گردد. معادلات ریاضی لازم برای کمیت های مغناطواپتیکی و معادلات الکترومغناطیسی حاکم بر آن ها بیان می شود. شبیه سازی یک بره ی بلور فوتونیک مغناطیسی بس لایه ای که دارای ساختار متناوب به صورت 4(GM) 2(M) 4(MG) است، بر پایه روش المان متناهی به صورت دو و سه بعدی انجام می شود. در نهایت میدان های الکتریکی انتشار یافته در ساختار بس لایه ای در بازه بسامدی امواج مرئی در فضای دو بعدی و سه بعدی نشان داده شده است. مدهای نقص مغناطیسی و غیرمغناطیسی را در ساختار ایجاد نموده ایم و میزان عبور از ساختار بس لایه ای را بدست آورده ایم.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونیک مغناطیسی ، فیلم بس لایه ای ، روش المان متناهی