Ultra Gain, Low-Power, High Swing Temperature-Insensitive Operational Amplifier

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 859

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE16_129

تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393

چکیده مقاله:

An ultra gain, low power, high swing CMOS Op-Amp in0.18 μm technology is presented. To enhance a high dc gain twostage cascode topology has been employed, Also a new techniqueis used to improve unity gain bandwidth and dc gain. The proposedOp-Amp provides 97dB dc gain, 438 MHz unity-gain bandwidth,60 degrees phase margin and 1.52V peak to peak swing voltage.designed circuit is simulated with Hspice simulation software in0.18 μm. Power dissipation of this Op-Amp is 70

نویسندگان

Mohammad Ali Heydari

Sadjad Institute of Higher Education, Mashhad, Iran

Morteza Rahimi

Sadjad Institute of Higher Education, Mashhad, Iran

Mohammad Fayyazi

Sadjad Institute of Higher Education, Mashhad, Iran

Abbas Golmakani

Sadjad Institute of Higher Education, Mashhad, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M. Taherzadeh-S ani and A. A. Hamoui, :A 1-V Pro ...
  • no. 6, pp. 1497, June.2012. ...
  • _ of Analog CMOS Integrated Circuits, New [4] P. R. ...
  • Vol. 25, No 6, December 1990. ...
  • Trans. Circuits & Systems. II, Vol. 53, NO, 3, pp.169-173, ...
  • IEEE Tran, Circuits &Systems.I, Reg. Papers, vol. 57, no. 4, ...
  • نمایش کامل مراجع