طراحی AFE برای پروتز حلزون شنوایی یکپارچه با سنسورهای پیزوالکتریک

این پژوهش به طراحی و معرفی یک سیستم کاشت حلزون تمام کاشتی با هدف رفع ناشنوایی حسی-عصبی می پردازد. بخش آنالوگ سرجلویی شامل تقویت کننده شارژ ، تقویت کننده با بهره متغیر و درایور مبدل آنالوگ به دیجیتال با معماری های بهینه جهت کاهش نویز و توان مصرفی طراحی شده است. در کنار این بخش ها، یک مبدل آنالوگ به دیجیتال از نوع SAR با دقت ۹ بیت و نرخ نمونه برداری ۱۶ کیلوهرتز، با استفاده از یک روش کلیدزنی نوین برای کاهش توان مصرفی مبدل دیجیتال-به-آنالوگ ، پیاده سازی شده است. شبیه سازی ها در فرآیند ۱۸۰ نانومتر CMOS نشان می دهد که مبدل SAR با ENOB برابر با ۸.۱۲۷ بیت، توان مصرفی تنها ۲۲۰ نانووات را در پهنای باند ۳۰۰ هرتز تا ۵ کیلوهرتز داراست. این دستاوردها، پتانسیل بالایی برای ساخت پروتزهای کاشت حلزون فوق کم مصرف و کارآمد ارائه می دهند.

کلیدواژه ها:

حلزون تمام کاشتی ، تقویت کننده شارژ ، تقویت کننده با بهره متغییر ، مبدل آنالوگ به دیجیتال ، SAR ADC