بررسی نقش عامل کمپلکس ساز در تغییر نسبت نیمه رسانای آلیاژی سلنید مس برای آشکارسازی مادون قرمز در سامانه های هوافضایی

در این کار، لایه های نازک نانوساختار سلنید مس (CuSe) با استفاده از یک روش ساده رسوب گذاری حمام شیمیایی مبتنی بر محلول ساخته شدند که به دلیل هزینه کم، پیش سازهای در دسترس و قابلیت توسعه پذیری، از نظر تجاری و نیز برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی جذاب است. در فرآیند رسوب گذاری حمام شیمیایی، پارامترهای رشد نقش مهمی در تعیین خواص فیزیکی و الکترونیکی محصول نهایی دارند.علاوه بر غلظت یون های سلنیوم، عامل کمپلکس ساز نیز یک عامل کلیدی موثر بر تشکیل و خواص فیلم است. عامل کمپلکس ساز، سرعت آزادسازی یون های فلزی در محلول را کنترل می کند و در نتیجه، بر استوکیومتری، ریزساختار و ساختار الکترونیکی فیلم های رسوب شده تاثیر می گذارد. مشاهده شد که تغییرات در غلظت عامل کمپلکس ساز، انرژی شکاف نواری را به طور قابل توجهی تغییر می دهد.به طور خاص، افزایش غلظت عامل کمپلکس ساز منجر به کاهش انرژی شکاف نواری می شود. این رفتار را می توان به افزایش متناظر در غلظت موثر یون های مس آزاد در محلول نسبت داد که مکانیسم رشد و ساختار الکترونیکی فیلم های نازک CuSe را تغییر می دهد. بنابراین، عامل کمپلکس ساز از طریق تاثیر خود بر غلظت یون فلزی در طول رسوب گذاری، نقش اساسی در تنظیم انرژی شکاف نواری ایفا می کند؛ موضوعی که می تواند در بهینه سازی این لایه ها برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی حائز اهمیت باشد.

کلیدواژه ها:

سلنید مس ، رسوبگیری حمام شیمیائی ، عامل کمپلس ساز