پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانو تیوب کربن
محل انتشار: اولین همایش ملی نانو تکنولوژی مزایا و کاربردها
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 692
فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOO01_050
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزستورهای اثر میدان (FET) بر اساسنانوتیوب های کربن نشان داده شده است طرح پیشنهادی قطعه مشخصه های مطلوبی از جمله بهر (بزرگ تر از 10) نسبت روشن خاموش بالا (بزرگ تر از 105) و عملکرد در دمای اتاق را نشان می دهد مهم تر از آنکه نمونه آزمایشی با گیت های محلی اجازه اجتماع قطعات زیادی را روی یک تراشه فراهم می کند مدارات یک دو و سه ترانزیستوری نشان داده شده است که محدوده ای از عملیات منطقی را به نمایش می گذارند از آن جمله می توان به معکوس گر NOR (NOT) منطقی یک سلول دسترسی اتفاقی اطلاعات Memeory random access و یک اسیلانور ac اشاره کرد که عملکرد هر کدام به طور مستقل توضیح داده شده است. طرح قطعه پیشنهادی اجازه می دهد پدیده های فیزیکی جالب و جدیدی را که منحصر به نانو تیوب هاست از جمله افزودن شدید ناخالصی sttong doping تحلیل دقیق تغییرات جریان تطابق قابل قبول نتایج تئوری با اندازه گیری ها و تغییرات انتشار بار کشف کنیم.
کلیدواژه ها:
نانو الکتریک ، ترانزیستور نانو تویب ، ترانزیستور اثر میدان (FET) قطعات مجتمع ، تراشه ، الکترونیک مولکولی
نویسندگان
غلام حسین لطفی
دکترای الکترونیک عضو هئیت علمی دانشگاه علم و صنعت
نگین امیری
دانشگاه کارشناسی رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :