در ضرب کننده های جریان CMOS
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 722
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECOM01_216
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدار ضرب کننده CMOS مد جریان چهار ربعی با استفاده از نسل دوم حامل جریان به صورت الکترونیکی (Electronically CCII) پیشنهاد شده است . استفاده از حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی (DDCC) بر مبنای تقویت کننده های لگاریتمی آنتی لگاریتمی پایه و اساس این طراحی می باشد . از مزایای مدار پیشنهادی ، پایداری حرارتی بسیار خوب ، ساختار ساده و استفاده از تکنولوژی CMOS نسبت به مدارات مشابه در این زمینه می باشد . شبیه سازی با کمکنرم افزار PSPISE با استفاده از پارامترهای Cmos با تکنولوژی um0.5 نیز کارکرد ساختار پیشنهادی را تایید می کند .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حاتم محمدیکامروا
عضو هیت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
میلاد عسکری
دانشجوی کارشناسی ارشد برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
احمد رمضانپور
دانشجوی کارشناسی ارشد برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :