طراحی صافی نوری نوار عبوری در یک بلور فوتونی یک بعدی مبتنی بر نانونقص بازآرایی پذیر ۳S۲Sb

در این مقاله، پاسخ نوری یک بلور فوتونی یک بعدی متقارن حاوی لایه نقص مرکزی از نانوماده ۳S۲Sb در ناحیه فروسرخ نزدیک، به روش ماتریس انتقال شبیه سازی و تحلیل شده است. اثر گذار فازی لایه نقص از حالت آمورف به بلوری و تغییر زاویه تابش نور فرودی بر ویژگی های تراگسیلندگی ساختار در دو قطبش TE و TM بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که گذار فازی آمورف به بلوری ۳S۲Sb موجب انتقال قرمز قابل توجه در طول موج مد نقص می شود؛ درحالی که افزایش زاویه تابش باعث انتقال آبی گاف نواری فوتونی و مد نقص در هر دو نوع قطبش می گردد. پهنای مد نقص در قطبش TE با افزایش زاویه کاهش یافته و عامل کیفیت بالاتری حاصل می شود؛ ولی در قطبش TM در زوایای نزدیک به زاویه بروستر، مد نقص با لبه گاف نواری ادغام شده و کارایی صافی کاهش می یابد. تحلیل اختلاف تراگسیلندگی بین دو فاز نیز حاکی از حساسیت زاویه ای و قطبشی بالای ساختار است. یافته های این تحقیق، پتانسیل استفاده از ۳S۲Sb را در طراحی صافی های زاویه -حساس و وسایل فوتونیکی بازآرایی پذیر با قابلیت سوئیچ و مدولاسیون طیفی تایید می کند.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونی یک بعدی ، نانوماده Sb₂S₃ ، گذار فازی آمورف -بلوری ، مد نقص ، صافی نوری زاویه حساس