بررسی جریان عبوری از یک ترانزیستور اثر میدان بر پایه نانو لوله
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای فیزیک جام (جامد، اتمی،محض)
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 643
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PHYSICS01_025
تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله تغییرات جریان عبوری برحسب تغییرات ولتاژ درین و گیت در یک ترانزیستور اثر میدان بر پایه نانو لوله با استفادهاز پتانسیل خودسازگار بررسی خواهد شد. نتایج به دست آمده نشان میدهد که با افزایش ولتاژ جریان عبوری نیز افزایش می یابد. همچنین نتایج نشان میدهند که با افزایش قطر نانولوله جریان عبوری بیشتر میشود علاوه بر این جریان عبوری از یک نانولوله زیگزاگ از نانو لوله غیر متقارن بیشتر است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جابر موسوی
دانشجوی کارشناسی ارشد، فیزیک حالت جامددانشگاه پیا نور اهواز
هدیه اعتمادی فر
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد دانشگاه پیام نور اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :