اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,285
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_033
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
مقالهی حاضر به بررسی نظری اثر ناخالصی نقطهای درون یک لایهی دیالکتریک (I) که بین دو الکترود فرومغناطیس (F) قرار دارد، بر مشخصهی ولت - آمپر و مقاومت مغناطیسی تونلی(TMR) میپردازد . نشان داده شده است که جریان و TMR در نزدیکی ناخالصی به شدت افزایش مییابد . همچنین اگر مکان ناخالصی درون دی الکتریک نسبت به مرز لایهها متقارن نباشد،I-V رفتاری دیودگونه خواهد داشت .
نویسندگان
فرامرز کنجوری
دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :