CdSe توصیف ساختاری وبررسی خواص الکتریکی لایههای نازک نانوساختار

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,789

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC08_133

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385

چکیده مقاله:

در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیائی تشکیل شده اند . اثر دمای پخت ، مدت زمان پخت ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است . وابستگی دمائی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرارگرفته است . اندازه نانوبلورهاازداده های طرح پراش تخمین زده شده است . نشان داده شده است که می توان با کنترل بارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود

نویسندگان

محمد الهی

گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه

نادر قبادی

گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه

رضا کاکاوندی

گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه