CdSe توصیف ساختاری وبررسی خواص الکتریکی لایههای نازک نانوساختار
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,789
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_133
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیائی تشکیل شده اند . اثر دمای پخت ، مدت زمان پخت ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است . وابستگی دمائی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرارگرفته است . اندازه نانوبلورهاازداده های طرح پراش تخمین زده شده است . نشان داده شده است که می توان با کنترل بارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود
نویسندگان
محمد الهی
گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه
نادر قبادی
گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه
رضا کاکاوندی
گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه