ایجاد تماس اهمی فلزی با لایه های نازک اکسید ایندیم وقلع (ITO)
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,624
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_127
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
لایه های نازک اکسید ایندیم و قلع (ITO) با ضخامت 150 nm با استفاده از دستگاه باریکه الکترونی روی شیشه کوارتز لایه گذاری ش د . لایه گذاریها در دمای اتاق انجام شده و به منظور بهبود خواص، لایه ها در کوره خلا تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند . تغییرات خواص ساختاری، الکتریکی و نوری لایه ها با تغییر دمای کوره مورد بررسی قرار گرفته و مشاهده شد که در دمای 400 °C می توان به بیشترین درصد عبور و در عین حال کمترین مقاومت سطحی دست یافت . با استفاده از آنالیز XRD و SEM دیده شد که در این دما لایه ها دارای ساختار چند بلوری با بافت سطحی <111> شده و اندازه دانه های کریستالی در این جهت نیز 35-40 nm می باشد . سپس لا یه های فلزی Al( 320 nm ( و Cr( 30 nm به ترتیب روی لایه بهینهITO به روش باریکه الکترونی و در دمای 100 °C لایه گذاری شدند . تماس فلزی ایجاد شده دارای رفتار اهمی بوده و مقاومت آن بعد از گرمادهی در خلاء و دمای 250 °C به کمترین مقدار 40 µΩ-cm به توان 2رسید
نویسندگان
علی محمدی قیداری
پژوهشکده نیمه هادیها، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
محمود کاظمی زاد
پژوهشکده نیمه هادیها، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
حبیبه حدادباغی
گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج
سیده محبوبه پورهاشمی
دبیر فیزیک، آموزش پرورش هشتگرد، هشتگرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :