تأثیر ضخامت بر خواص لایههای نازک ITO به شیوه کندوپاش RF
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,541
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_117
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
لایههای نازک ITO با ضخامتهای مختلف 130-620 nm بر روی زیرلایههای شیشه نازک به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی لایه نشانی شده و سپس در دمای 400°C در محیط خلأ پخت شدهاند . ساختار کریستالی، مشخصههای الکتریکی و اپتیکی نمونههای ITO توسط آنالیزهای XRD ، سیستم اندازه گیری مقاومت چهار ترمینالی و طیفUV/VIS/IR مورد بررسی قرار گرفته است . با بررسی نتایج حاصل از آنالیزهای انجام شده با افزایش ضخامت لایه، درصد عبوری میانگین در طیف مرئی کاسته و مقاومت الکتریکی نیز کاهش مییابد . در مقابل، با بررسی طیف XRD لایهای که دارای ضخامت 620 nm است، قلههای بهینه (222) و (400) نشان دهنده توازن شفافیت و هدایت الکتریکی میباشند
نویسندگان
نگین معنوی زاده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
علیرضا خدایاری
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل صلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
رضا افضل زاده
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی