آهنگ واهلش انرژی در ساختار چندلایه ای GaAs/AlxGa1-xAs
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,969
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_106
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این کار به بررسی وابستگی آهنگ واهلش انرژی گاز الکترونی دوبعدی ناشی از انتشار فونون اکوستیکی به عرض چاه کوانتومی و همچنین وابستگی آهنگ واهلش انرژی گاز الکترونی سه بعدی به چگالی حاملها در ساختار GaAs/AlxGa1-xAs پرداختیم و نشان دادهایم که توان اتلافی، مستقل از بعد بوده و مقدار به دست آمده برای ثابت پتانسیل تغییر شکل یافته در حالت دوبعدی بین 2/1 تا 11 الکترون ولت و در حالت سه بعدی بین 4/5 تا 8/5 الکترون ولت تغییر میکند
نویسندگان
قاسم انصاری پور
گروه فیزیک دانشگاه یزد ، یزد
لیلا هدایتی فر
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک دانشگاه یزد، یزد