بدست آوردن امپدانس لایه نیمه هادی و اثرات آن روی مشخصه انتشار کابل XLPE

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,093

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE15_417

تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385

چکیده مقاله:

این مقاله یک رابطه برای بدست آوردن امپدانس مربوط به لایه های نیمه هادی کابلهای فشار قوی XLPE زیر زمینی را به صورت تابع فرکانس ارائه می نماید. امپدانس داخلی، خارجی و مزدوج یک سیستم متشکل از دو لایه هادی و نیمه هادی در کنار هم تفاوت قابل ملاحظه با حالت تک هادی که درآن لایه نیمه هادی در نظر گرفته نمیشود، دارد. مشخصه های انتشار شامل ثابت انتشار و امپدانس مشخصه در یک کابل دارای لایه نیمه هادی و با احتساب مقادیر مختلفی برای رسانایی این لایه نیمه هادی ارائه گردیده است. لایه نیمه هادی امپدانس هادی را افزایش می دهد و باعث افزایش ضریب تضعیف، کاهش سرعت سیر موج و امپدانس مشخصه کابل می گردند. اضافه ولتاژهای گذرا با سرعت بیشتری تضعیف می گردند و دوره تناوب نوسانات نسبت به کابلهای بدون لایه های نیمه هادی افزایش می یابد. اثر این لایه ها بیشتر در ماتریس ادمیتانس قابل توجه می باشد چار که با در نظر گرفتن امپدانس مسیر برگشت زمین، امپدانس این لایه ها، در المانهای ماتریس امپدانس کابل سهم ناچیزی دارند.

نویسندگان

سیدمجید هاشمی نژاد

دانشکده برق دانشگاه صنعتی شریف

مهدی وکیلیان

دانشکده برق دانشگاه صنعتی شریف

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • W. Scott-Meyer, EMTP Rule Book. Portland, OR: _ B.P.A, 1982. ...
  • A. Ametani, Cable Parameters Rule Book. Portland OR: B.P.A, 1994. ...
  • ، Problems and COunterm easures of analyzing cable transients, * ...
  • B. Gustavsen and J. Sletbak, ،;Transient sheath overvoltages in armoured ...
  • M. Vakilian, T.R. Blackburn, Toan B. Phung, _ Evaluation of ...
  • T. Yasui and H. Miyauchi, -Investigation of a sem iconducting ...
  • [EE of Japan, :High Temperature Capability of OF and CV ...
  • N. Amekawa, :Derivation of a semiconducter layer impedance and its ...
  • A. Ametani, Y. Miyamoto, and N. Nagaoka, _ Sem iconducting ...
  • نمایش کامل مراجع