ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس

سال انتشار: 1386
کد COI مقاله: ICEE15_390
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 1,809
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس

علیرضا صالحی - دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مهدی محمدزاده لاجوردی - دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
محرم قلی زاده نیک پی - دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده مقاله:

در این مقاله یکی از روشهای تغییر پاسخ حسگرهای گاز نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح جدید حسگر شیمیایی، تلفیقی از مکانیسم های مورد استفاده در حسگرهای گاز مقاومتی اکسید – فلز و حسگرهای گاز MOSFET می باشد. در ای تحقیق برای ساخت حسگر گاز MOS (فلز – اکسید – نیمه هادی) از کوارتز بعنوان پایه و از ITO (دی اکسید قلع با آلایش ایندیوم) بعنوان لایه حساس به گاز و از فلز کروم بعنوان گیت استفاده شده است. در این روش میان الکتریکی با القا بار در کانال ، غلظت حامل های بار را تغییر داده و موجب افزایش یا کاهش جذب گاز در الیه حساس می شود. تغییرات پاسخ برای حسگر IGFET-TFT (فت باگیت ایرزوله شده – لایه نازک) با لایه حساس ITO بوسیله تغییر ولتاژهای گیت ها در حضور گاز منوکسید کربن انجام گرفت . در این تحقیق نتیجه گیری شده که با افزایش یک پایه تحت عنوان گیت به حسگر گاز دو پایه ای میتوان میزان حسگر به گاز را بر اساس ولتاژ اعمالی به گیت کنترل کرد.

کلیدواژه ها:

حسگر گاز ، كنترل سطح فرمي ، ITO ,IGFET_TFT MOS

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/25458/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صالحی، علیرضا و محمدزاده لاجوردی، مهدی و قلی زاده نیک پی، محرم،1386،طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس،پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران،تهران،،،https://civilica.com/doc/25458

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1386، صالحی، علیرضا؛ مهدی محمدزاده لاجوردی و محرم قلی زاده نیک پی)
برای بار دوم به بعد: (1386، صالحی؛ محمدزاده لاجوردی و قلی زاده نیک پی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • " شیمی فیزیک" گ. م بارو، ترجمه: قاسم خدادادی، غفار ...
  • " شیمی فیزیک" دکتر جمشید مفیدی، استاد دانئگاه تهران، ...
  • Peter Hauptman, ،Ssensors Principles and A pplications?, Prentice Hall, 1993 ...
  • A. Kodadadi, s. _ Mohajerzadeh, A. M. Miri and Y. ...
  • Duk-Dong Lee, Dae-Sik Lee _ «Environmenta _ Gas Sensor^ IEEE ...
  • J.W.Gardner, M.Cole, F.Udrea CMOS _ Sensors and Smart Devices* Sensors, ...
  • D Briand, H Sundgren, B Van der Scloot, "Thermally lsolated ...
  • D Briand, H Sundgren, B _ der Schoot, *Thermally Isolated ...
  • W.Hellmich, G.Muller , Ch.B raunmuh!, T.Dol l, I _ E ...
  • S. M. Sze, «physics of semiconductor device', _ ed. Wiley, ...
  • J. Wollenstein, M.Jagle, H.Bottuner, ' A gas sensitive tin dioxide ...
  • R. E. Cavicchi, J. S. Suehle, K. G Kreider, M. ...
  • H Geistlinger, 0Electron theory _ gas _ ?, Sensor and ...
  • A.Salehi, M. Ghol izade, ;'Gas sensing properties of indum-doped SrO ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 9,721
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی