طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس
محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,369
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE15_390
تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله یکی از روشهای تغییر پاسخ حسگرهای گاز نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح جدید حسگر شیمیایی، تلفیقی از مکانیسم های مورد استفاده در حسگرهای گاز مقاومتی اکسید – فلز و حسگرهای گاز MOSFET می باشد. در ای تحقیق برای ساخت حسگر گاز MOS (فلز – اکسید – نیمه هادی) از کوارتز بعنوان پایه و از ITO (دی اکسید قلع با آلایش ایندیوم) بعنوان لایه حساس به گاز و از فلز کروم بعنوان گیت استفاده شده است. در این روش میان الکتریکی با القا بار در کانال ، غلظت حامل های بار را تغییر داده و موجب افزایش یا کاهش جذب گاز در الیه حساس می شود. تغییرات پاسخ برای حسگر IGFET-TFT (فت باگیت ایرزوله شده – لایه نازک) با لایه حساس ITO بوسیله تغییر ولتاژهای گیت ها در حضور گاز منوکسید کربن انجام گرفت . در این تحقیق نتیجه گیری شده که با افزایش یک پایه تحت عنوان گیت به حسگر گاز دو پایه ای میتوان میزان حسگر به گاز را بر اساس ولتاژ اعمالی به گیت کنترل کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا صالحی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مهدی محمدزاده لاجوردی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
محرم قلی زاده نیک پی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :