Smart Etch or Plasma Hydrogenation-AssistedH igh Aspect Ratio Etching of Silicon
محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,186
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE15_368
تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385
چکیده مقاله:
Achieving a novel plasma hydrogenation assisted vertical etching of silicon is reported. The process uses a sequential ydrogenation/oxygenation
and reactive ion etching to stimulate the vertical removal of the exposedS i substrotew ithout damaging the sidewalls. 3-D structures with aspect ratios of 30:I and features as small as 0.7um have been realized. Also high aspect ratio etching of PET plastics by means of directional ultra-violet illumination ,s reported. Fabrication of various structures suitable for sensor applications is reported.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Azimi
Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
Sammak
Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
Khadem Hosseinieh
Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
Mohajerzadeh
Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :