ارائه روش جدیدی جهت مدلسازی وتحلیل تغییرات شارهای نشتی در ترانسفورماتورقدرت تحت خطای سیمپیچی داخلی
محل انتشار: بیست و هشتمین کنفرانس بین المللی برق
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 802
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PSC28_198
تاریخ نمایه سازی: 25 اردیبهشت 1393
چکیده مقاله:
خطاهای سیم پیچی داخلی یکی ازشایعترین ومخربترین خطاهایی هستند که درترانسفورماتورها رخ میدهند و اگر این خطاها تداوم یابند امکان گسترش خطا درسیمپیچ و خارج شدن ترانسفورماتور از شبکه و قطع انرژی مصرف کنندگان وجود دارد. دراین مقاله مدلسازی دقیق خطاهای داخلی درترانسفورماتور انجام شده است و به تغییرات شارهای نشتی در هنگام بروز این خطاها پرداخته شده است. تاثیر عوامل مهم مختلف، مانند شدت خطا، موقعیت خطا، سطح بارگذاری، تغییرات ولتاژ تغذیه ورودی و ضریب توان بار بر روی شارهای نشتی درترانسفورماتور حامل خطای داخلی بررسی شده است، از روش اجزای محدود برای شبیهسازی ترانسفورماتوراستفاده شده است و برای تایید نتایج شبیهسازی تستهای عملی برروی یک ترانسفورماتورواقعی انجام شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سلمان حاجی آقاسی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران-ایران
کریم عباس زاده
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران-ایران
حسین پایدارنیا
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران-ایران