ترابرد مغناطیسی وابسته به اسپین در ساختارهای نامتجانس حاوی اتصالات Zn1−x Mnx Se / ZnSe / Zn1−y Mny SeوZn1−x Mnx Se

ترابرد مغناطیسی وابسته به اسپین در دو نوع ساختار نامتجانس تونل زنی سه لایه ای و پنج لایه ای بررسی شده است . این ساختارها شامل دو نیمه هادی غیرمغناطیسی است که در ساختار سه لایه ای بوسیله یک لایه نیمه هادی مغناطیسی رقیق (DMS) از نوع Zn 1 − x Mn x Seو در ساختار پنج لایه ای بوسیله Zn جدا شده اند . با استفاده از روش ماتریس انتقال و در تقریب جرم مؤثر، وابستگی جریانهای قطبیده اسپینی و قطبش اسپینی به غلظت در اتصالات تونل زنی مذکور بررسی شده است . نتایج بدست آمده ممکن است در طراحی ابزار اسپینترونیک در آینده مفید واقع شود