مطالعه سازوکار رفتاری تراشه های ساخته شده از ترکیب اکسیدگرافن و پرمنگنات پتاسیم

اکسید گرافن، شکل نیمه اکسید شده گرافن  و عایق الکتریکی است. از اکسید گرافن می توان در ساخت قطعات الکترونیکی با مقاومت و ظرفیت متغیر( مقاومت حافظه دار و حافظه ظرفیتی) و میکروابرخازن ها با ساختار فلز/عایق/فلز استفاده کرد که تغییر حالت قطعه بر اساس رشد خوشه های گرافن در اثر کاهش لایه اکسید گرافن رخ می دهد. این فرایند رشد خوشه ها، یک فرایند الکتروشیمیایی برگشت ناپذیر است که به پارامترهای زیادی چون میزان میدان الکتریکی اعمالی و رطوبت محیط بستگی دارد و با کنترل آن می توان قطعات  پایداری به منظور حافظه ظرفیتی یا ابرخازن ساخت. در این تحقیق از ماده اکسنده پرمنگنات پتاسیم  برای کنترل  سرعت فرایند کاهش اکسید گرافن استفاده شده است و با توجه به مقدار پرمنگنات پتاسیم و مقدار میدان الکتریکی اعمالی در شرایط محیطی سه رفتار در ولتامتری  نمونه مشاهده می شود که می توان از این ساختار در ساخت مقاومت حافظه دار، قطعات یونی(ابزارهایی که فرایند یونی در آنها غالب است) و میکروابرخازن استفاده کرد. در این تحقیق، نتایج به دست آمده بررسی و عملکرد قطعات مورد نظر مطالعه می شود.

کلیدواژه ها:

گرافن ، اکسید گرافن ، فرایند کاهش اکسیدگرافن ، پرمنگنات پتاسیم ، مقاومت حافظه دار ، حافظه ظرفیتی ، میکروابرخازن