انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,681
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_102
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
چکیده مقاله:
تراشه های کامپیوتر و ابعاد قطعات الکترونیکی کوچکتر و کوچکتر می شوند . گیت اکسید فوق نازک در قطعات CMOS برای تحول سیلیکون نیاز می باشد، CMOS نانومتر یا نازک تر که در تولیدات آتی 1 ( برابر SiO2 – میکرو و نانو الکترونیک بسیار با اهمیت است . ضخامت موثر ( معادل بقدری نازک است تا بتواند مانع جریات تونل زنی , نشتی و نفوذ بورن ازالکترود پلی سیلیکون در اکسید سیلیکون شود . با وجود این سیلیکون هنوز یک مولفه حیاتی در صنعت است . مقاله حاضر یک کوششی در رشد اکسید فوق نازک را شرح می دهد و نشان می دهد که رشد بصورت خود - اشباعی است که پیشتر مشاهده نشده بود . تحقیقات حاضر بر خواص ساختاری سیستمها متمرکز شده است و با الکترون اسپکتروسکوپی، عمدتاً فوتوگسیلی، تابش سینکرترون در UHV مورد مطالعه قرار گرفته است .
نویسندگان
علی بهاری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :