مدلسازی موجبر نوری نازک شده خطی معکوس از جنس نیترید سیلیکون در مدارهای مجتمع نوری

در این مقاله، به طراحی ساختار نوری موجبر نازک شده خطی معکوس ساخته شده از نیترید سیلیکون به عنوان متصل کننده موجبرهای چند میکرونی با موجبرهای چند دهم میکرونی در مدارهای مجتمع نوری پرداخته شده است. از آنجا که نحوه انتشار مدهای الکترومغناطیسی در ساختار موجبرها و به ویژه در موجبر نوری نازک شده، وابسته به عوامل مختلفی از جمله شکل و ابعاد و جنس موجبر می باشد، تاثیر جنبه های مختلف ساختار هندسی موجبر طراحی شده مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد و توزیع فضایی میدان الکترومغناطیسی مدهای هدایت شده در این ساختار نیز بررسی می شود. با توجه به اهمیت میزان طیف عبوری در یک موجبر برای طراحی مدارهای مجتمع نوری در کامپیوترهای کوانتومی، این طیف با استفاده از محاسبات عددی با روش تفاضل محدود در حوزه زمان (FDTD) سه بعدی، شبیه سازی می شود و ساختار مناسب پیشنهادی با بازده بهتر از میان ساختارهایی تک مدی با ابعاد میکرونی، برای استفاده در کامپیوتر کوانتومی، ساختاری با طول μm ۱۰۰ و پهنای خروجی μm ۱ و پهنای ورودی μm ۳/۰ می باشد.

کلیدواژه ها:

موجبر تیپر ، ساختار هندسی ، روش تفاضل محدود در حوزه زمان سه بعدی ، توزیع فضایی مدهای الکترومغناطیسی