پیکربندی خازنی در تولید پلاسما

در این کار با توجه به تحقیق های صورت گرفته در زمینه پلاسما و نیز پارامترها و شرایط حاکم بر ایجاد محیط پلاسمایی، استفاده از منابع مناسب از جمله پلاسمای جفت شده خازنی، پلاسمای جفت شده القایی و پلاسمای تشدید سیکلوترون الکترونی که سه منبع محبوب برای پردازش پلاسما در الکترونیک و اپتو الکترونیک می باشد و با در نظر گرفتن بهترین منبع تولید پلاسما یعنی پلاسمای خازنی به طراحی منبع تغذیه جهت ایجاد پلاسمای خازنی در فرکانس ۱۰ مگاهرتز، ولتاژ ۱۲۰۰ ولت و توان خروجی ۴۰ وات پرداخته شده است. همچنین رفتار الکترون تحت شرایط فشار اتمسفر و زیر اتمسفر از لحاظ سرعت مسافت پیموده شده چگالی، شدت میدان شبیه سازی و بررسی گردیده است.

کلیدواژه ها:

پلاسما ، پلاسمای خازنی ، یونیزاسیون ، زدایش