طراحی بلوک پیشانی ثبت کننده سیگنال فتوپلتیسموگرافی با پویایی وسیع و بهرهdBΩ۱۴۷ با قابلیت کنترل در گام های کوتاه و بلند

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 30

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-54-3_015

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1404

چکیده مقاله:

در این مقاله، طراحی بلوک  پیشانی یک گیرنده کم توان با بهره بالا، کم نویز و دارای محدوده پویایی(رنج دینامیکی) وسیع برای ثبت سیگنال های فتوپلتیسموگرافی ارایه شده ­است. گیرنده طراحی شده شامل یک سیستم اندازه­گیری جریان به همراه بلوک حذف مولفه جریان مستقیم(dc) ورودی می­باشد که در فناوری  CMOS ۱۸۰nm پیاده­سازی شده است. در ورودی گیرنده از تقویت کننده مبدل  امپدانسی (TIA) برای دریافت و  آشکارسازی جریان های ضعیف ورودی و تبدیل آن به ولتاژ استفاده شده­است. سطح نویز ورودی گیرنده­ی طراحی شده در محدوده فرکانسی ۵/۰-۱۰ هرتز برابر با pArms ۷/۳۹ و بهره آنdBΩ ۱۴۷ می­باشد. گیرنده شامل حلقه کنترل بهره در دو گام کوتاه(Fine) و بلند(Coarse)  و بلوک حذف مولفه جریان مستقیم ورودی می­باشد که توانایی حذف مولفه مزاحم جریان مستقیم ورودی تا جریان ۱۰۰میکرو­آمپر را امکان پذیر نموده و بدین  ترتیب محدوده  پویایی وسیع تری را برای گیرنده بصورت خودکار(اتوماتیک) فراهم می­نماید. محدوده  پویایی وسیع تر گیرنده و کم نویز بودن آن، دو خصوصیتی است که باعث شده ­است این گیرنده برای ثبت و اندازه­گیری جریان­های بسیار کوچک وکاربرد آن در حوزه حسگر­های زیستی گزینه­ی مناسبی باشد. بر اساس جانمایی در  فناوری  ۱۸۰nm، مساحت تراشه ۱۲۱/۰میلی­متر مربع  و توان مصرفی آن برابر با ۱۴/۴۰ میکرو­وات می­باشد. نتایج شبیه­سازی گیرنده طراحی شده پس از جانمایی (Post-Layout) نشان می­دهد که محدوده فرکانسی پایین آن کمتر از ۱میلی هرتز و محدوده فرکانسی بالای آن تا ۱۰۰ هرتز می رسد که انتخاب مناسبی برای کاربرد­های فرکانس پایین محسوب می شود.

کلیدواژه ها:

فتوپلتیسموگرافی ، گیرنده سیگنال PPG ، مبدل جریان به ولتاژ ، تقویت کننده مبدل امپدانسی ، کنترل اتوماتیک بهره ، حلقه حذف نور پس زمینه

نویسندگان

F. Shoeibi

Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran

E. Najafiaghdam

Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran

A. Ebrahimi

Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. H.-S. Wang, M. H. Yeh, P. C.-P. Chao, T. ...
  • D. H. Nguyen, Y. T. Chen, T. Y. Tu, P. ...
  • E. F. Pribadi, R. K. Pandey, and P. C.-P. Chao, ...
  • R. K. Pandey and P. C.-P. Chao, “An adaptive analog ...
  • A. K. Y. Wong, K. P. Pun, Y. T. Zhang, ...
  • Y. Shu et al., “۲۶.۱ A ۴.۵mm ۲ Multimodal Biosensing ...
  • G. Ferrari, F. Gozzini, A. Molari, and M. Sampietro, “Transimpedance ...
  • B. Lin, M. Atef, and G. Wang, “۱۴.۸۵ µW Analog ...
  • A. K. Y. Wong, K. N. Leung, K.-P. Pun, and ...
  • A. Syed, K. Khan, A. Ahmad, M. S. Asad, and ...
  • H. Zheng, R. Ma, and Z. Zhu, “A linear and ...
  • V. S. Rajan and B. Venkataramani, “Design of low power, ...
  • B. Lin, M. Atef, and G. Wang, “A low-power high-sensitivity ...
  • B. Lin, Z. Ma, M. Atef, L. Ying, and G. ...
  • K. Puttananjegowda and S. Thomas, “A low-power low-noise multi-stage transimpedance ...
  • S. Firouz, E. N. Aghdam, and R. Jafarnejad, “A Low ...
  • F. Centurelli, A. Fava, G. Scotti, and A. Trifiletti, “۸۰ ...
  • A. Atef, M. Atef, E. E. M. Khaled, and M. ...
  • M. Atef and H. Zimmermann, Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS ...
  • K. Sharma, A. Pathania, R. Pandey, J. Madan, and R. ...
  • A. Arnaud, R. Fiorelli, and C. Galup-Montoro, “Nanowatt, Sub-nS OTAs, ...
  • A. L. Goldberger et al., “PhysioBank, PhysioToolkit, and PhysioNet,” Circulation, ...
  • نمایش کامل مراجع